Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Support
www.wp1.da-dk.nina.az
  • Wikipedia

Pro Electron er det Europæiske typebenævnelse og registreringssystem for aktive komponenter såsom halvledere LCD sensore

Pro Electron

Pro Electron
www.wp1.da-dk.nina.azhttps://www.wp1.da-dk.nina.az

Pro Electron er det Europæiske typebenævnelse og registreringssystem for aktive komponenter (såsom halvledere, LCD, sensorer, elektronrør og billedrør).

Pro Electron-systemet blev etableret i 1966 i Bruxelles, Belgien. I 1983 blev det fusioneret med (EECA).

Målet med Pro Electron er at muliggøre en utvetydig identifikation af elektronikdele, selv hvis de laves af adskillige fabrikanter verden over.

Historisk

Pro Electron tog det anvendte populære europæiske kodningssystem fra omkring 1934 for elektronrør; , og reallokerede adskillige sjældent anvendte første bogstav af benævnelsen fra elektronrør til halvledere, og fortsatte med at anvende det andet bogstav "A" for signaldiode, "C" for laveffekt bipolare transistor eller triode, "D" for højeffekt transistor (eller triode), og "Y" for ensretter. Udover dette, begynder rør og transistor type bogstavskonventionerne at gå hver sin vej, f.eks. gammel kodning "L" for højeffekt pentoderør – ofte anvendt til LF, hvorimod ny kodning "L" anvendes for HF efftekt (sender) transistorer; "Z" gammel kodning anvendes til rørensretter men ny kodning for halvleder zenerdioder. I den nye konvention anvendes ikke to ens bogstaver f.eks. for to transistorer i samme hus, som man gjorde ved rørkonventionerne – så en dobbel NPN HF transistor kan få benævnelsen (produktkoden) "BFM505" i stedet for noget lignende "BFF505".

Status

Pro Electron navngivningen for transistorer og zenerdioder er blevet godt modtaget af halvlederfabrikanter jorden rundt. Pro Electron navngivning af IC, udover nogle specielle (f.eks. television signalprocessering) chip, har ikke slået stort igennem (selv i Europa) på trods af en ganske fornuftig benævnelsesstruktur, måske på grund af populariteten af 7400-serien og dens efterfølgere, på trods af deres planløse benævnelsesallokering, plus en ingeniørtradition som har accepteret uA741, LM741, osv. for den samme populære men ville have behov for en erstatningsguide for at vide at TBA222 også er ækvivalent (og selv da kan det være nødvendig med en undersøgende inspektion for at være sikker!).

Uddrag af Pro Electron typebenævnelsen

  • Benyttede første bogstav i diskrete halvlederkomponenter (ikke IC – dog er en optokobler en IC! F.eks. CNY17):
    • A Germanium (eller andre halvledere med PN-overgange med et båndgab i intervallet 0,6...1,0eV)
    • B Silicium (med et båndgab i intervallet 1,0...1,3eV)
    • C Halvledere som galliumarsenid med et båndgab på 1,3eV eller mere
    • D Halvledere med et mindre end 0,6eV (sjældent benyttet)
    • R Enheder uden PN-overgange, f.eks. fotoledende celler
  • Benyttede første bogstav i IC-kredse:
    • S Enkeltstående digitale ICer
    • T Linære ICere
    • U blandede digitale/analoge ICere

Diskrete halvlederkomponenter

  • Kort opsummering af halvlederkomponenter benævnelser:
 _____ Første bogstav (se ovenfor) / __ Serienummer (3..4 cifre – eller bogstav og 2..3 cifre) / / _ Evt. variant (f.eks. A,B,C) / / / BC549C \_ Andet bogstav – enhedstype: A= diode, laveffekt, Rj-mb>15K/W B= kapacitetsdiode C= transistor, laveffekt, LF, Rj-mb>15K/W D= transistor, højeffekt, LF, Rj-mb<15K/W E= tunneldiode F= transistor, laveffekt, HF, Rj-mb>15K/W G= flere forskellige enheder H= magnetfeltsdetektor L= transistor, højeffekt, HF, Rj-mb<15K/W N= optokobler P= strålingsdetektor (f.eks. fotodiode, fototransistor) Q= strålingsgenerator (f.eks. lysdiode, diodelaser) R= Switch-komponent – f.eks. diac, triac eller tyristor, laveffekt, Rj-mb>15K/W S= transistor, laveffekt, switching, Rj-mb>15K/W T= Switch-komponent – f.eks. triac eller tyristor, højeffekt, Rj-mb<15K/W U= transistor, højeffekt, switching, Rj-mb<15K/W W= overflade akustisk (SAW) bølgedetektor X= diode, varaktor, multiplier Y= ensretterdiode, højeffekt, Rj-mb<15K/W Z= zenerdiode, , TVS-diode 

Eksempler på Pro Electron typebenævnelser

Eksempler på Pro Electron typebenævnelser:

  • AD162 -- germanium effekttransistor til lavfrekvens anvendelse
  • BC548 -- silicium laveffekt transistor (NPN BJT bred anvendelig)
  • BF1100 -- silicium laveffekt transistor (dobbel-gate MOSFET)
  • BY133 -- silicium ensretter
  • CNY17 -- optokobler
  • CQY97 -- lysdiode
  • BZY88C5V1 -- 5.1V zenerdiode
  • ECC83 -- 6,3V katodeglødespænding noval dobbelt-triode
  • A63EAA00XX01 -- Farve TV billedrør
  • SAA1300 -- Digital integreret kredsløb (IC)

Se også

  • JEDEC JESD370B
  • JIS-halvledertypebenævnelse

Kilder/referencer

  1. Philips Semiconductors, now NXP: Pro Electron Type Numbering System (Webside ikke længere tilgængelig)
  2. Philips Semiconductors, now NXP: General Pro electron type numbering of integrated circuits (Webside ikke længere tilgængelig)

Eksterne henvisninger

  • Pro Electron

wikipedia, dansk, wiki, bog, bøger, bibliotek, artikel, læs, download, gratis, gratis download, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, billede, musik, sang, film, bog, spil, spil, mobile, Phone, Android, iOS, Apple, mobiltelefon, Samsung, iPhone, Xiomi, Xiaomi, Redmi, Honor, Oppo, Nokia, sonya, mi, PC, web, computer

Udgivelsesdato: April 16, 2025, 14:44 pm
De fleste læses
  • Kan 08, 2025

    Sanahin kloster

  • Kan 07, 2025

    San Diego State University

  • Kan 16, 2025

    San

  • Kan 13, 2025

    Samfundsøkonomen

  • Kan 08, 2025

    Samarbejdspolitikken

Daglige
  • Søren Pilmark

  • Per Pallesen

  • Afdeling Q

  • Emanuel Andreas Lundbye

  • Gazakrigen 2023-nu

  • E-metanol

  • Aabenraa

  • Kurdistans Arbejderparti

  • Pave

  • Liberal Party of Canada

NiNa.Az - Studio

  • Wikipedia

Tilmelding af nyhedsbrev

Ved at abonnere på vores mailingliste vil du altid modtage de seneste nyheder fra os.
Kom i kontakt
Kontakt os
DMCA Sitemap Feeds
© 2019 nina.az - Alle rettigheder forbeholdes.
Ophavsret: Dadaş Mammedov
Top